6月20号消息,电又台积电最近开头准备为苹果和英伟达试产2nm产品。出大程芯
台积电将派1000名研发人员前往位于竹科目前正在建设的招苹m制Fab 20晶圆厂工作专门研发2nm制程 。据了解,果或该厂方案在2025年开头量产。将首
随着台积电在先进的片产品逻辑技术上不断突破,台积电正在超越FinFET ,台积并将2纳米节点商业化,电又这是出大程芯一种以纳米片晶体管为特点的一流逻辑技术 。
台积电业界领先的招苹m制N2技术具有卓越的低Vdd性能,非常适合移动和可穿戴应用。果或此外 ,将首N2的片产品超薄堆叠纳米片为高性能计算提供了一个新的能效计算水平 。后侧电源导轨也将增加 ,台积以进一步提高性能 。
台积电公布其2nm制程路线图 ,取代FinFET(鳍式场效应晶体管)后采用纳米片电晶体(Nanosheet)。
相较于N3 ,在相同功耗下,速度提升10~15%;相同速度下 ,功耗可以降低25~30%,要是成功量产,必然又是一代神U 。
(图源自台积电官网)
编辑点评 :凭借台积电的超强的科技实力,相信2nm的芯片量产之后,可以实现大幅度的性能超越。虽然目前的手机性能已经接近摩尔定律的极限,每一代的升级性能已经不如开头那么成倍的放大。在软件环境没有变化的基础上,芯片的性能上的迭代提高是重要的。